casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHM8337TRPBF
Número da peça de fabricante | IRFHM8337TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFHM8337TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFHM8337TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM8337TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFHM8337TRPBF-FT |
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC205N10LS G
Infineon Technologies
BSC22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC320N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC360N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel