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Infineon Technologies BSP123E6327T

Número da peça MFG
BSP123E6327T
Quantidade disponível
66610 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSP123E6327T Especificações

Número da peça de fabricante BSP123E6327T
Número da peça futura FT-BSP123E6327T
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SIPMOS®
BSP123E6327T Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 370mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 370mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.79W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-SOT223-4
Pacote / caso TO-261-4, TO-261AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP123E6327T Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSP123E6327T-FT

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