casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB10N03LB G
Número da peça de fabricante | IPB10N03LB G |
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Número da peça futura | FT-IPB10N03LB G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB10N03LB G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1639pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 58W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3 |
Pacote / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB10N03LB G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB10N03LB G-FT |
BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
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BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation