casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R600CEAKMA1
Número da peça de fabricante | IPSA70R600CEAKMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPSA70R600CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IPSA70R600CEAKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 474pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 86W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R600CEAKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPSA70R600CEAKMA1-FT |
BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03MSGATMA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel