casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSO615N
Número da peça de fabricante | BSO615N |
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Número da peça futura | FT-BSO615N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSO615N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-DSO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO615N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSO615N-FT |
PMDPB95XNE2X
Nexperia USA Inc.
PMDPB28UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB38UNE,115
NXP USA Inc.
PMDPB42UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB55XP,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB56XN,115
NXP USA Inc.
PMDPB58UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB65UP,115
NXP USA Inc.
PMDPB70EN,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB80XP,115
Nexperia USA Inc.
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel