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NXP USA Inc. PMDPB56XN,115
- Número da peça MFG
- PMDPB56XN,115
- Quantidade disponível
- 96070 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- NXP USA Inc.
- Descrição breve
- - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- PMDPB56XN,115.pdf
PMDPB56XN,115 Especificações
| Número da peça de fabricante | PMDPB56XN,115 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PMDPB56XN,115 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| PMDPB56XN,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
| Potência - Max | 510mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN2020-6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMDPB56XN,115 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PMDPB56XN,115-FT |
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