casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / PMDPB58UPE,115
Número da peça de fabricante | PMDPB58UPE,115 |
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Número da peça futura | FT-PMDPB58UPE,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMDPB58UPE,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 804pF @ 10V |
Potência - Max | 515mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDPB58UPE,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMDPB58UPE,115-FT |
NTHD3100CT3G
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5SGXEA7H1F35C2
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XC4013XL-3BG256C
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XC3030-100PC68C
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A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256I
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