casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSO615CGHUMA1
Número da peça de fabricante | BSO615CGHUMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSO615CGHUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSO615CGHUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-DSO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO615CGHUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSO615CGHUMA1-FT |
PMDPB30XN,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB56XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMDPB95XNE2X
Nexperia USA Inc.
PMDPB28UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB38UNE,115
NXP USA Inc.
PMDPB42UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB55XP,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB56XN,115
NXP USA Inc.
PMDPB58UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB65UP,115
NXP USA Inc.