casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSO612CVGHUMA1
Número da peça de fabricante | BSO612CVGHUMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSO612CVGHUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSO612CVGHUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-DSO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO612CVGHUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSO612CVGHUMA1-FT |
PMDPB70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB30XN,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB56XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMDPB95XNE2X
Nexperia USA Inc.
PMDPB28UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB38UNE,115
NXP USA Inc.
PMDPB42UN,115
NXP USA Inc.
PMDPB55XP,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB56XN,115
NXP USA Inc.
PMDPB58UPE,115
Nexperia USA Inc.
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel