casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM300GA120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM300GA120DN2HOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSM300GA120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM300GA120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 430A |
Potência - Max | 2500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 300A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5.6mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 22nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM300GA120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM300GA120DN2HOSA1-FT |
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation