casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT35DA120D1G

Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G

Name: APTGT35DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (103 reviews)

Número da peça MFG: APTGT35DA120D1G

Quantidade disponível: 44330 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: - IGBT 1200V 55A 205W D1

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Módulos

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APTGT35DA120D1G.pdf

APTGT35DA120D1G Especificações

Número da peça de fabricante	APTGT35DA120D1G
Número da peça futura	FT-APTGT35DA120D1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
APTGT35DA120D1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configuração	Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	55A
Potência - Max	205W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - corte de coletor (máx.)	5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	D1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D1
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT35DA120D1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APTGT35DA120D1G-FT

Como pedir?

Pedido de cotação - Confirmar preço - Pedido - Pagamento - Remessa - Concluído

Métodos de Envio

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Cálculo do frete: entre em contato conosco