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Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G

Número da peça MFG
APTGT35DA120D1G
Quantidade disponível
44330 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- IGBT 1200V 55A 205W D1
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Módulos
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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APTGT35DA120D1G Especificações

Número da peça de fabricante APTGT35DA120D1G
Número da peça futura FT-APTGT35DA120D1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
APTGT35DA120D1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configuração Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 55A
Potência - Max 205W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Corrente - corte de coletor (máx.) 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso D1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D1
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT35DA120D1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTGT35DA120D1G-FT

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