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Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G
- Número da peça MFG
- APTGT35DA120D1G
- Quantidade disponível
- 44330 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Microsemi Corporation
- Descrição breve
- - IGBT 1200V 55A 205W D1
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - IGBTs - Módulos
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- APTGT35DA120D1G.pdf
APTGT35DA120D1G Especificações
| Número da peça de fabricante | APTGT35DA120D1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-APTGT35DA120D1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| APTGT35DA120D1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configuração | Single |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 55A |
| Potência - Max | 205W |
| Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | D1 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D1 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTGT35DA120D1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | APTGT35DA120D1G-FT |
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