casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT35A120D1G
Número da peça de fabricante | APTGT35A120D1G |
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Número da peça futura | FT-APTGT35A120D1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT35A120D1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 55A |
Potência - Max | 205W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35A120D1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT35A120D1G-FT |
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation