casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35A |
Potência - Max | 200W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 800µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM25GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
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APTGT35A120D1G
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APTGT35DA120D1G
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APTGT35H120T1G
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XCKU040-3FBVA900E
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XC6SLX100-2FGG484I
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5SGXEB5R1F43I2N
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Lattice Semiconductor Corporation
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