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Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

Name: BSM120D12P2C005
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM120D12P2C005
Price: 298.632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (317 reviews)

Número da peça MFG: BSM120D12P2C005

Quantidade disponível: 95030 Peças

Preço de referência: USD 298.632

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSM120D12P2C005.pdf

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BSM120D12P2C005 Especificações

Número da peça de fabricante	BSM120D12P2C005
Número da peça futura	FT-BSM120D12P2C005
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
BSM120D12P2C005 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 22mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 10V
Potência - Max	780W
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	-
Pacote / caso	Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Module
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM120D12P2C005 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSM120D12P2C005-FT

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