casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIZ200DT-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIZ200DT-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIZ200DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen IV |
SIZ200DT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
Potência - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ200DT-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIZ200DT-T1-GE3-FT |
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BSAL
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ALD1102SAL
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ALD110900SAL
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