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Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3

Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3
Price: 0.47232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (160 reviews)

Número da peça MFG: SQJ262EP-T1_GE3

Quantidade disponível: 16980 Peças

Preço de referência: USD 0.47232

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQJ262EP-T1_GE3.pdf

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SQJ262EP-T1_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQJ262EP-T1_GE3
Número da peça futura	FT-SQJ262EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ262EP-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Potência - Max	27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ262EP-T1_GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQJ262EP-T1_GE3-FT

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