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Infineon Technologies IPZ40N04S55R4ATMA1

Name: IPZ40N04S55R4ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S55R4ATMA1
Price: 0.296344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (736 reviews)

Número da peça MFG: IPZ40N04S55R4ATMA1

Quantidade disponível: 91080 Peças

Preço de referência: USD 0.296344

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPZ40N04S55R4ATMA1.pdf

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IPZ40N04S55R4ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPZ40N04S55R4ATMA1
Número da peça futura	FT-IPZ40N04S55R4ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPZ40N04S55R4ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 17µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	48W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TSDSON-8
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPZ40N04S55R4ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPZ40N04S55R4ATMA1-FT

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