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Infineon Technologies IRFH8202TRPBF

Name: IRFH8202TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8202TRPBF
Price: 0.604456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (44 reviews)

Número da peça MFG: IRFH8202TRPBF

Quantidade disponível: 29330 Peças

Preço de referência: USD 0.604456

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH8202TRPBF.pdf

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IRFH8202TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH8202TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFH8202TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFH8202TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	47A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH8202TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH8202TRPBF-FT

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