casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC130P03LSGAUMA1
Número da peça de fabricante | BSC130P03LSGAUMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC130P03LSGAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC130P03LSGAUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 73.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC130P03LSGAUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC130P03LSGAUMA1-FT |
IRF8113GTRPBF
Infineon Technologies
IRF8113PBF
Infineon Technologies
IRF8113TR
Infineon Technologies
IRF8113TRPBF
Infineon Technologies
IRF8252PBF
Infineon Technologies
IRF8252TRPBF
Infineon Technologies
IRF8707GPBF
Infineon Technologies
IRF8707PBF
Infineon Technologies
IRF8707TRPBF
Infineon Technologies
IRF8714GPBF
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel