casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC120N03LSGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC120N03LSGATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC120N03LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC120N03LSGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC120N03LSGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC120N03LSGATMA1-FT |
IRF8113GPBF
Infineon Technologies
IRF8113GTRPBF
Infineon Technologies
IRF8113PBF
Infineon Technologies
IRF8113TR
Infineon Technologies
IRF8113TRPBF
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IRF8252TRPBF
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IRF8707GPBF
Infineon Technologies
IRF8707PBF
Infineon Technologies
IRF8707TRPBF
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel