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Infineon Technologies BSC016N06NSTATMA1

Número da peça MFG
BSC016N06NSTATMA1
Quantidade disponível
85560 Peças
Preço de referência
USD 1.200352
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ DIFFERENTIATED MOSFETS
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
BSC016N06NSTATMA1.pdf
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BSC016N06NSTATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante BSC016N06NSTATMA1
Número da peça futura FT-BSC016N06NSTATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
BSC016N06NSTATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 95µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 30V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TDSON-8 FL
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC016N06NSTATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSC016N06NSTATMA1-FT

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