casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFU530VL
Número da peça de fabricante | BFU530VL |
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Número da peça futura | FT-BFU530VL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFU530VL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 11GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
Ganho | 15.5dB |
Potência - Max | 450mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU530VL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFU530VL-FT |
NSVMMBTH10LT1G
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XC3S50A-4TQ144C
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EP1C3T100I7N
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10AX066K3F40I2LG
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EP1K100QC208-1N
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