casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NSVMMBTH10LT1G
Número da peça de fabricante | NSVMMBTH10LT1G |
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Número da peça futura | FT-NSVMMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMMBTH10LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBTH10LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMMBTH10LT1G-FT |
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
XC3S4000-4FGG900I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-PQG208M
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40I3LN
Intel
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EP3CLS70F780C7
Intel
EPF10K100EQC240-1
Intel