casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC5347AE-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5347AE-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 4.7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Ganho | 8dB |
Potência - Max | 1.3W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FG484I
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M1AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
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10AX032H4F34I3SG
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XC5VFX30T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
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