casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFG10,215
Número da peça de fabricante | BFG10,215 |
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Número da peça futura | FT-BFG10,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFG10,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 8V |
Freqüência - Transição | 1.9GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 7dB |
Potência - Max | 400mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 250mA |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG10,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFG10,215-FT |
MAX2602ESA+T
Maxim Integrated
MAX2601ESA-T
Maxim Integrated
MAX2602ESA-T
Maxim Integrated
BFR740L3RHE6327XTSA1
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BFR193L3E6327XTMA1
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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BFR 360L3 E6327
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LFEC6E-5T144C
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A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
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10M08DCV81C8G
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EP4SE530H35C2
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5CEBA9U19C8N
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EP4SGX110HF35I4N
Intel