casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MAX2602ESA+T
Número da peça de fabricante | MAX2602ESA+T |
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Número da peça futura | FT-MAX2602ESA+T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MAX2602ESA+T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 1GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
Ganho | 11.6dB |
Potência - Max | 6.4W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.2A |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC-EP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAX2602ESA+T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MAX2602ESA+T-FT |
BFU520WF
NXP USA Inc.
BFU530WF
NXP USA Inc.
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGSED6K3F40I3L
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
AGL600V2-CS281I
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196
Microsemi Corporation
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel