casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MAX2602ESA-T
Número da peça de fabricante | MAX2602ESA-T |
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Número da peça futura | FT-MAX2602ESA-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MAX2602ESA-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 1GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
Ganho | 11.6dB |
Potência - Max | 6.4W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.2A |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC-EP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAX2602ESA-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MAX2602ESA-T-FT |
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
Intel
EP1C20F324I7N
Intel