casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 153L3 E6327
Número da peça de fabricante | BCR 153L3 E6327 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BCR 153L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 153L3 E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSLP-3-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 153L3 E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 153L3 E6327-FT |
PDTA113ZMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123YMB,315
Nexperia USA Inc.
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel