casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTA123JMB,315
Número da peça de fabricante | PDTA123JMB,315 |
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Número da peça futura | FT-PDTA123JMB,315 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTA123JMB,315 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XFDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1006B-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123JMB,315 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTA123JMB,315-FT |
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel