casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTA123TMB,315
Número da peça de fabricante | PDTA123TMB,315 |
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Número da peça futura | FT-PDTA123TMB,315 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTA123TMB,315 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XFDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1006B-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123TMB,315 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTA123TMB,315-FT |
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TM,315
Nexperia USA Inc.
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel