casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 112T E6327
Número da peça de fabricante | BCR 112T E6327 |
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Número da peça futura | FT-BCR 112T E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 112T E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC-75 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 112T E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 112T E6327-FT |
PDTB123EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB123YQAZ
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PDTB143XQAZ
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PDTC114EQAZ
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