casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTB143EQAZ

| Número da peça de fabricante | PDTB143EQAZ |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PDTB143EQAZ |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| PDTB143EQAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | 150MHz |
| Potência - Max | 325mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010D-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PDTB143EQAZ Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PDTB143EQAZ-FT |

PDTA113EE,115
NXP USA Inc.

PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.

PDTA114EE,115
NXP USA Inc.

PDTA114TE,115
NXP USA Inc.

PDTA114YE,115
NXP USA Inc.

PDTA115EE,115
NXP USA Inc.

PDTA115TE,115
NXP USA Inc.

PDTA123EE,115
NXP USA Inc.

PDTA123JE,115
NXP USA Inc.

PDTA123TE,115
NXP USA Inc.

EP1C3T144C8N
Intel

AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation

AT40K10LV-3AQC
Microchip Technology

5SGXMA3E3H29I4N
Intel

5SGXEA7H3F35C3N
Intel

LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000UHE-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-17E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXBA1D4F31C4N
Intel

EP3SL70F780I4LN
Intel