casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTC123JQAZ
Número da peça de fabricante | PDTC123JQAZ |
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Número da peça futura | FT-PDTC123JQAZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PDTC123JQAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz |
Potência - Max | 280mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010D-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC123JQAZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTC123JQAZ-FT |
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123YE,115
NXP USA Inc.
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel