casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR6503WE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BAR6503WE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR6503WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR6503WE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOD323-2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6503WE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR6503WE6327HTSA1-FT |
MA4L011-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L021-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L032-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1318
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1317
M/A-Com Technology Solutions
MA4AGBLP912
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011008-14120T
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011021-14150T
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011027-14150T
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011028-14150T
M/A-Com Technology Solutions
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel