casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4E1317
Número da peça de fabricante | MA4E1317 |
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Número da peça futura | FT-MA4E1317 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4E1317 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 7V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.06pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | 2-SMD |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1317 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4E1317-FT |
MMVL3401T1G
ON Semiconductor
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
EPF8820ATC144-4N
Intel
XCV812E-7FG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC256-2X
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FF1148I
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I1SG
Intel
10AX115N2F45I2SGE2
Intel
EP20K200EQC240-2
Intel