casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4E1317
Número da peça de fabricante | MA4E1317 |
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Número da peça futura | FT-MA4E1317 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4E1317 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 7V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.06pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | 2-SMD |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1317 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4E1317-FT |
MMVL3401T1G
ON Semiconductor
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG256M
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8LN
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGSMD8N1F45I2N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2SG
Intel
10AX022E3F27E1HG
Intel