casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4AGBLP912
Número da peça de fabricante | MA4AGBLP912 |
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Número da peça futura | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4AGBLP912 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Corrente - Max | 40mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel