casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4AGBLP912
Número da peça de fabricante | MA4AGBLP912 |
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Número da peça futura | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4AGBLP912 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Corrente - Max | 40mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG484C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
LFE3-150EA-6FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208I8
Intel
EP1K100QI208-2
Intel