casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4AGBLP912
Número da peça de fabricante | MA4AGBLP912 |
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Número da peça futura | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4AGBLP912 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Corrente - Max | 40mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel