casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4AGBLP912
Número da peça de fabricante | MA4AGBLP912 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4AGBLP912 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Corrente - Max | 40mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
EP1K30TI144-2N
Intel
XCKU040-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80U484C8
Intel
EP4CE75F23C8
Intel
LFEC15E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel