casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C3V9-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23C3V9-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C3V9-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C3V9-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C3V9-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C3V9-HE3-08-FT |
AZ23C12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC2S150-5PQ208I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F40C3N
Intel
10AX048H3F34I2LG
Intel
5SGXEA4H2F35C2N
Intel
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
10CL080YF780C8G
Intel