casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C12-E3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C12-E3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-AZ23C12-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23C12-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 9V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C12-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C12-E3-18-FT |
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1S25B672C6
Intel
10M25DCF484C8G
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
EP20K30EFI144-2XN
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA9K3H40C3N
Intel
5SGXMA7H1F35C2N
Intel
LFXP3E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation