casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C12-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23C12-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C12-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C12-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 9V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C12-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C12-HE3-08-FT |
AZ23B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
EP20K30ETC144-3
Intel
XC6SLX75T-2CSG484C
Xilinx Inc.
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3FT324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35I2N
Intel