casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C3V6-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23C3V6-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C3V6-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C3V6-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C3V6-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C3V6-HE3-08-FT |
AZ23C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG320C
Xilinx Inc.
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ176
Microsemi Corporation
A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7
Intel
LFXP6C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4N
Intel
EP20K100FC324-2
Intel