casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C30-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C30-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C30-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23C30-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 22.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C30-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C30-G3-18-FT |
AZ23B6V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG320C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
5SGXMB9R1H43C2N
Intel
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CPG236C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C5
Intel