casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C30-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C30-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C30-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23C30-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 22.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C30-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C30-G3-18-FT |
AZ23B6V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
EP1C3T144C6
Intel
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
EP4CE55F23I7
Intel
5SGSMD4K2F40C2LN
Intel
EP4SGX360KF40C4N
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6
Intel
EP20K600CB652C9
Intel