casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B6V2-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B6V2-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B6V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23B6V2-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V2-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B6V2-G3-18-FT |
AZ23B2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S1000-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC2V40-5FGG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP384-SG32
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35F484C6
Intel
5SGXMA7N2F40C2LN
Intel
XC2V1500-5BGG575I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BGG329M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC208-3
Intel