casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B6V8-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B6V8-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B6V8-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23B6V8-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V8-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B6V8-G3-18-FT |
AZ23B30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I4N
Intel
EP4SGX290NF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
10M16SCU324C8G
Intel
10AX016E3F29E2SG
Intel
10AX027E1F29I1SG
Intel