casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA65R600E6XKSA1
Número da peça de fabricante | IPA65R600E6XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA65R600E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPA65R600E6XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA65R600E6XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA65R600E6XKSA1-FT |
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP324 E6327
Infineon Technologies
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373 E6327
Infineon Technologies
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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