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Infineon Technologies IPA65R600E6XKSA1

Número da peça MFG
IPA65R600E6XKSA1
Quantidade disponível
58620 Peças
Preço de referência
USD 1.448
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IPA65R600E6XKSA1.pdf
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IPA65R600E6XKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPA65R600E6XKSA1
Número da peça futura FT-IPA65R600E6XKSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series CoolMOS™
IPA65R600E6XKSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 28W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO220-FP
Pacote / caso TO-220-3 Full Pack
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA65R600E6XKSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPA65R600E6XKSA1-FT

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