casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA80R1K0CEXKSA2
Número da peça de fabricante | IPA80R1K0CEXKSA2 |
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Número da peça futura | FT-IPA80R1K0CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ CE |
IPA80R1K0CEXKSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 32W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R1K0CEXKSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA80R1K0CEXKSA2-FT |
BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP324 E6327
Infineon Technologies
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373 E6327
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation