casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C6416-55TIN
Número da peça de fabricante | AS6C6416-55TIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C6416-55TIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C6416-55TIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 64Mb (4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55TIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C6416-55TIN-FT |
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel