casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS7C325632-10BINTR
Número da peça de fabricante | AS7C325632-10BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS7C325632-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS7C325632-10BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 8Mb (1M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C325632-10BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS7C325632-10BINTR-FT |
MT41K1G4DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel