casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C2M32S-6BIN
Número da peça de fabricante | AS4C2M32S-6BIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C2M32S-6BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C2M32S-6BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Tamanho da memória | 64Mb (2M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 2ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32S-6BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C2M32S-6BIN-FT |
MT41K1G8RKB-107:N TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G4DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel