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APTM100A13DG Image

Microsemi Corporation APTM100A13DG

Número da peça MFG
APTM100A13DG
Quantidade disponível
57380 Peças
Preço de referência
USD 126.46856
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APTM100A13DG.pdf
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APTM100A13DG Especificações

Número da peça de fabricante APTM100A13DG
Número da peça futura FT-APTM100A13DG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
APTM100A13DG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Potência - Max 1250W
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SP6
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100A13DG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTM100A13DG-FT

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