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Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7
- Número da peça MFG
- DMG6602SVTQ-7
- Quantidade disponível
- 84760 Peças
- Preço de referência
- USD 0.09672
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Diodes Incorporated
- Descrição breve
- - MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- DMG6602SVTQ-7.pdf
DMG6602SVTQ-7 Especificações
| Número da peça de fabricante | DMG6602SVTQ-7 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DMG6602SVTQ-7 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| DMG6602SVTQ-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Potência - Max | 840mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSOT-26 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG6602SVTQ-7 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DMG6602SVTQ-7-FT |
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